UPD-50-UP 170–1100nm紫外扩展版超快硅PIN光电探测器

超快光电探测器：UPD系列

UPD 系列超快光电探测器非常适用于从直流到 25 GHz 的光学波形测量。多种型号的上升时间短至 15 ps，光谱范围覆盖 170 至 2600 nm。

所有光电探测器都封装在紧凑坚固的铝合金外壳中，可使用电池或外部电源供电。

紫外扩展版的硅光电探测器是*一商业化覆盖 170–1100 nm 光谱范围的产品。

另一类独特的紫外敏感型 InGaAs 光电探测器可用于探测 350–1700 nm 范围内的激光脉冲，具有市面上最宽的光谱范围和最高的响应速度。

*美的阻抗匹配和*先进的微波技术确保了无振铃或伪影的脉冲形状测量。用户可选择使用 50Ω 终端电阻以获得最高速度，或使用高阻抗负载以获得大信号，从而保证在各种应用中的最大灵活性。

配合我们的 BBA 系列宽带高增益放大器，这些高速光电探测器是昂贵且复杂的雪崩光电二极管的理想替代方案。

UPD 系列高速光电探测器是激光与光子学研究*可或缺的工具。

特点：1、超高速运行；2、上升时间：最短 15 ps；3、带宽：最高 25 GHz； 4、光谱范围：170–2600 nm；5、紧凑设计、6、电池或外部电源供电

7、可选型号：自由空间光束、FC/PC 光纤插座或单模光纤尾纤、

应用

脉冲形状测量、脉冲宽度测量、精确同步、模式拍频监测、外差测量

新型号：

UPD-15-IR2-FC：超快 InGaAs PIN 光电探测器，上升时间 <15 ps，带宽 >25 GHz，光谱范围 800–1700 nm，FC/APC 光纤输入

UPD-35-IR2-P / UPD-35-IR2-D：超快 InGaAs PIN 光电探测器，上升时间 <35 ps，带宽 >10 GHz，光谱范围 800–1700 nm，带抛光或漫透射窗口

UPD-35-UVIR-P / UPD-35-UVIR-D：超快 InGaAs PIN 光电探测器，上升时间 <35 ps，带宽 >10 GHz，光谱范围 350–1700 nm

UPD-50-SP / UPD-50-SD / UPD-50-UD / UPD-50-UP：超快硅 PIN 光电探测器，上升时间 50 ps，下降时间 50 ps，带宽 >7 GHz，光谱范围 170–1100 nm 或 320–1100 nm，带抛光或漫透射窗口

UPD-100-IR1-P：超快锗光电探测器，上升时间 <100 ps，脉冲宽度（FWHM）300 ps，光谱范围 400–2000 nm

UPD-3N-IR2-P：快速 InGaAs 光电探测器，红外扩展至 2.1 μm，上升时间 150 ps

UPD-5N-IR2-P：快速 InGaAs 光电探测器，红外扩展至 2.6 μm，上升时间 200 ps

UPD-50-UP 产品重点讲解

UPD-50-UP 是 UPD 系列中的一款超快硅 PIN 光电探测器，具有以下突出特点：

1. 基本性能参数

参数           数值

上升时间       50 ps

下降时间       50 ps

带宽           >7 GHz

光谱范围       170–1100 nm

探测器类型   硅 PIN

窗口类型       抛光窗口（UP 中的 “P"）

2、产品优势

紫外扩展能力：UPD-50-UP 的光谱范围从 170 nm 开始，覆盖深紫外到近红外（170–1100 nm），这是普通硅探测器难以实现的。

高速响应：50 ps 的上升时间使其适用于皮秒级激光脉冲测量。

高带宽：>7 GHz 的带宽可以精确捕捉高速光信号细节。

窗口类型：抛光窗口（Polished Window）适用于需要高透射率和低散射的精密测量场景。

3. 适用场景

紫外激光脉冲形状测量

高速光信号同步

模式拍频监测

超快激光器输出特性分析

4. 使用建议

为获得最高速度，建议使用 50Ω 终端电阻。

如需大信号输出，可使用高阻抗负载。

可配合 BBA 系列宽带放大器使用，提高灵敏度。

5. 与其他 UPD-50 子型号的区别

型号       光谱范围       窗口类型

UPD-50-SP   320–1100 nm 抛光

UPD-50-SD  320–1100 nm 漫透射

UPD-50-UD  170–1100 nm 漫透射

UPD-50-UP  170–1100 nm 抛光

因此，UPD-50-UP 是紫外扩展版本中采用抛光窗口的型号，适合需要宽光谱覆盖和高透射率的应用。